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KIA08TB70DD是一款制造先进的快恢复二极管,具有超快的25纳秒恢复时间、175°C工作接点温度、环氧树脂符合UL 94 V一0@0.125英寸、低正向电压、低泄漏电流、高温玻璃钝化结、反向电压至700V、提供无铅包装,运行高效稳定可靠;广泛应用于工业风机、大功率吸...
www.kiaic.com/article/detail/5436.html 2025-01-09
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VT1和VT2构成多谐振荡器,振荡频率为5Hz。当电压下降时,为使频率不变,振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压,直接推动VMOS大功率管,经变压器升压后的220V交流电从插座CZ引出。
www.kiaic.com/article/detail/5435.html 2025-01-09
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在图2中,用一个P沟道MOSFET代替图1中的二极管VD2。切换到电池时,MOSFET导通,电池向负载供电。接入交流适配器时,MOSFET的栅极电压高于其源极电压,处于关断状态,从而切断了电池与负载的连接。
www.kiaic.com/article/detail/5434.html 2025-01-09
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KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流85A,采用改进的工艺和单元结构特别定制,低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗,提供卓越的开关性能;低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力等特性,确保性能稳定可靠;广泛应用于...
www.kiaic.com/article/detail/5433.html 2025-01-08
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VIN引脚作为电池充电的输入电源,其工作电压范围为5V至18V。CS引脚是TP5100的充电功能使能引脚。通过控制其逻辑电平,工程师可以调整锂电池的充电电压。通常,该引脚会接入外部开关或MCU单片机。当CS=1时,充电电压为4V,即启动双节锂电池充电功能。
www.kiaic.com/article/detail/5432.html 2025-01-08
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在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,PN结中间的部位(P区和N区交界面)会产生一个很薄的电荷区,这就是空间电荷区。
www.kiaic.com/article/detail/5431.html 2025-01-08
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KNY3303A场效应管采用先进的平面条形DMOS技术生产,漏源击穿电压30V,漏极电流90A,低导通电阻RDS(on)=3.1mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗,提供卓越的开关性能;改进的dv/dt能力、快速切换、绿色设备可用,稳定可靠;适用于高效开关电源、功率因数校正...
www.kiaic.com/article/detail/5430.html 2025-01-07
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与门(AND gate)?:符号为“∧”或“&”,真值表显示只有当所有输入为1时,输出才为1。?或门(OR gate)?:符号为“∨”或“|”,真值表显示只要有一个输入为1,输出就为1。?非门(NOT gate)?:符号为“¬”或“~”,真值表显示输出与输入相反。
www.kiaic.com/article/detail/5429.html 2025-01-07
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图1是正激式变压器开关电源的简单工作原理图,图1中Ui是开关电源的输入电压,T是开关变压器,K是控制开关,L是储能滤波电感,C是储能滤波电容,D2是续流二极管,D3是削反峰二极管,R是负载电阻。
www.kiaic.com/article/detail/5428.html 2025-01-07
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KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流70A,低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲、100%雪崩测试、符合RoHS标准,?稳定可靠;适用于逆变器系统的电源管理、?锂电池保护板、切换应用程序,高...
www.kiaic.com/article/detail/5427.html 2025-01-06
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A类放大电路的工作原理是将输入信号加到晶体管的基极或栅极上,通过晶体管的非线性特性将信号放大。在放大过程中,晶体管的集电极电流随输入信号的变化而变化,从而在集电极和发射极之间产生电压变化,实现信号放大。
www.kiaic.com/article/detail/5426.html 2025-01-06
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当导体两端电压一定时,流过导体电流与导体电阻成反比。电流与电压、电阻间的关系公式为:I=U/R,其中I为电流,U为电压,R为电阻。由上述公式可知,当电压一定时,电流越大,电阻越小,反之电流越小,电阻越大。
www.kiaic.com/article/detail/5425.html 2025-01-06
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3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V,漏极电流3A,导通电阻RDS(on)=5.5Ω,低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,减少开关损耗;具有高开关频率、低驱动电流,高可靠性,适用于高速转换、高速开关应用场景?,在变频器电源和逆变器、适配器、充电...
www.kiaic.com/article/detail/5424.html 2025-01-03
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下图为反相器的结构示意图,由一个PMOS和一个NMOS拼接而成;当v=1时,T1截止,T2导通,vo=0;当v=0时,T1导通,T2截止,vo=1;
www.kiaic.com/article/detail/5423.html 2025-01-03